正电子寿命测量法用于金属、半导体、高分子材料等空位型缺陷的测量。这是一种带有测量装置和电源的全寿命正电子寿命测量系统。在寿命（时间）测量系统中，时间是用3GS/s采集卡来测量的，进来信号是由两BaF2的闪烁体产生的高速脉冲信号。在符合多普勒展宽的情况下，用两个锗半导体探测器符合的波高值制成二维直方图。此外，这些设备可以用来测AMOC，这个寿命和动量相关。
Feature
●功能： Lifetime、CDB和AMOC
●ADC： 时间：2CH 3GSPS 8bit
CDB ：2CH 100MSPS 14bit
●时间分辨： FWHM（半高宽） 192ps （511keV@22Na, BaF2 闪烁体） FWHM（半高宽） 160 – 190 ps (Silica)
●能量分辨： 1.23keV（512keV@106Ru） 1.69keV(1.33MeV@60Co)
●PMT高压 ： 2CH, -4000V 对于Ge(锗)半导体： 2CH, +5000V ※包括前放
●接口： Ethernet （TCP/IP）
●附件包括应用指导手册
1、组成部分
（1） 时间谱分析模块
它是用于时间谱分析，每个通道采用高速3 GHz ADC。
输入信号是BaF闪烁检测器的。
DSP内置的时差分析功能。
（2）DSP多通道分析仪模块
它是一个多通道分析仪，配备了用于伽马射线光谱的数字信号处理（DSP）功能。直接输入来自Ge半导体检测器的前置放大器的输出信号。
采样率100 MSPS，ADC增益最大为8192。
（3）前置放大器电源模块
前置放大器电源用于Ge半导体探测器。
通过D-sub 9针连接器供应±24 V（50 mA）和±12 V（50 mA）供电。
连接器的引脚排列符合NIM标准。
（4）高压电源模块
它是两个BaF 2闪烁探测器和两个Ge半导体探测器的高压电源。
CH1和CH2用于Ge半导体探测器，额定功率高达+5000V（或-5000V）。
CH3和CH4用于BaF2闪烁检测器，最大额定值为-4000V。
两者都使用SHV连接器。
（5）VME电源机箱
它是VME标准的7插槽电源机架。
AC 100 V，最大300 W.
为每个模块供电。
除上述内容外，还需要以下东西。
·BaF2闪烁检测器
·Ge半导体探测器
·PC（应用程序执行）
·交换集线器（PC和每个模块用于LAN电缆连接）
2、测量模式（有5种测量模式）
（1）时间寿命模式
寿命（LT）模式是同时测量两个BaF 2闪烁检测器的模式，采用两个波形的上升之间的时间差，并进行正电子寿命测量。
（2）波形模式
波形模式测量来自两个BaF 2闪烁探测器的波形。
（3）能量模式
能量模式是用于测量来自两个Ge半导体探测器的能谱的模式。
（4）CDB（双探头符合多普勒扩展谱）模式
CDB模式是一种采用两个Ge半导体检测器的重合计数的方式，通过每个峰值计算正电子湮灭符合计数多普勒扩展。
（5）AMOC(正电子寿命-动量关联谱）模式
AMOC模式是通过采用两个BaF 2闪烁检测器和一个Ge半导体检测器的重合计数来测量正电子寿命 - 动量相关性的模式。
3、几种测量模式说明
常见的使用寿命谱Lietime模式只能得到寿命谱，解谱得到正电子的寿命成分及相应的强度，从而得到材料中的空位或缺陷信息。CDB测量的是正电子湮没所产生的射线能量，可以反映电子的动量信息，多用于研究缺陷的变化。AMOC相当于lifetime+CDB，将两种信息关联起来，一般用于多聚物，多孔材料。
4、主要优势
a、纯数字化正电子谱仪，结构紧凑和简单，整个系统就一个普通电脑主机大小；
b、系统集成了寿命谱（Lietime）、多普勒展宽谱（CDB）、CDB & LIFETIME、寿命-动量关联谱（AMOC）多种模式，寿命谱只需要配2套BaF2探测器，CDB和AMOC还需要配2套高纯锗探测器，可根据实际需要配置不同探测器即可，谱仪不需要再增加配置。更低的价格，能实现更多的功能。
c、时间分辨更好，传统正电子谱仪典型时间分辨是220ps, TechnoAP典型时间分辨是200ps;
d、操作简单，所有功能配置都在软件上操作，不需要像传统正电子谱仪产品通过不同硬件模块（像旋钮）调整；同时，硬件简单，基本操作都是通过软件，故障率更低；
e、一根网线搞定所有控制和传输，更加灵活；
5、应用案例展示
正电子谱仪用于研究催化沸石（ZSM-5）的转化过程-爱达荷州国家实验室
